Érdekes kettősség rajzolódik ki a memóriapiacon: az SK Hynix egyszerre fékez és gyorsít, attól függően, honnan nézzük. A vállalat hivatalos útiterve alapján a következő generációs HBM4 memória tömeggyártása lassabban indul, mint eredetileg tervezték, miközben a NAND fronton radikális technológiai ugrásra készülnek. Ez a stratégia jól mutatja, mennyire feszült most az egyensúly az AI-vezérelt kereslet és a gyártási realitások között.
A HBM4 esetében az SK Hynix eredetileg 2026 második negyedévére időzítette a kapacitás jelentős növelését, ezt azonban áttolták a harmadik negyedévre. Miért történt a csúszás? Az ok meglepően pozitív: a jelenlegi HBM3E memória iránt akkora a kereslet, hogy a gyártó kénytelen tovább üzemeltetni a meglévő gyártósorokat. A fő megrendelő, az NVIDIA, egyelőre nem tudja olyan ütemben felfuttatni az újabb „Rubin” platformot, ami valóban indokolná a HBM4 gyors bevezetését, miközben a HBM3E-re épülő Blackwell chipek továbbra is rendkívül keresettek.
– Ez rossz hír az AI-iparnak? Rövid távon nem feltétlenül, mert a jelenlegi megoldások még bőven elég gyorsak.
– Jelenthet ez ellátási szűk keresztmetszetet később? Igen, ha az AI-igény újra hirtelen megugrik 2026 végén.
Ezzel párhuzamosan a NAND flash vonalon kifejezetten ambiciózus tervek körvonalazódnak. Az SK Hynix dolgozik a tizedik generációs, úgynevezett V10 3D NAND-on, amely már 300 réteget meghaladó cellaszámot céloz. A technológiai újítás lényege a wafer-to-wafer hibrid kötés, ahol a memória-cellákat és a vezérlő-perifériát külön szilíciumlapokon gyártják, majd nanométeres pontossággal összeillesztik. Ez csökkenti a hőkockázatot és a gyártási stresszt, viszont drasztikusan növeli a folyamat komplexitását.
A tesztgyártás 2026-ra várható, míg a valódi volumenű termelés csak 2027-ben indulhat el. Ez azonban nem oldja meg a jelenlegi NAND-hiányt, sőt, rövid távon akár ronthat is rajta. A meglévő kapacitások átalakítása ugyanis átmenetileg csökkenti az elérhető mennyiséget, még akkor is, ha hosszabb távon a V9-es, 321 rétegű NAND és a későbbi V10 nagyobb darabszámot tesz lehetővé. A vállalat ezért már most több tízezer havi 300 mm-es wafertermelést terel át magasabb rétegszámú gyártásra, főként az enterprise SSD-k irányába.
A DRAM oldalon nincs látványos kapacitásnövelés, de a háttérben fontos előkészületek zajlanak. Az SK Hynix az elkövetkező két évben nagyjából 20 alacsony numerikus apertúrájú EUV berendezés telepítését tervezi, kifejezetten HBM és fejlett tárolómegoldások gyártására. Ezek csak fokozatosan állnak majd termelésbe, így a következő néhány negyedévben továbbra is feszes kínálatra lehet számítani.
A tanulság világos. Az SK Hynix nem kapkod, hanem ott nyomja a gázt, ahol a legnagyobb a haszon és a kereslet, és ott fékez, ahol a piac még nem áll készen az ugrásra. A memóriapiac következő másfél éve ezért inkább az alkalmazkodásról szól majd, mint a bőségről. Az igazi fellélegzés csak 2027 körül jöhet el, amikor a HBM4 és a 300+ rétegű NAND valóban tömegesen megjelenik.
