Az Intel bejelentette, hogy High-NA EUV szkennerein már több mint egymillió 300 mm-es wafert dolgozott fel – mindezt kevesebb mint két és fél évvel az első ilyen berendezés üzembe helyezése után. A mérföldkő azért is rendkívüli, mert az ASML még idén április elején közölte, hogy az általa addig szállított összes High-NA EUV szkenner összesítve haladta meg a 400 000 feldolgozott wafert – az Intel tehát egyedül többet teljesített, mint az iparág összes többi szereplője együttvéve.
Hogyan jutott el az Intel egymillió High-NA EUV waferig?
A waferszám magában foglalja a berendezések telepítése és tanúsítása során, az K+F-munkák keretében, illetve a tényleges gyártásban feldolgozott wafereket egyaránt. Az Intel 2025 februárjában még csupán 30 000 feletti waferszámnál járt, tehát a növekedés üteme rendkívülinek mondható. A vállalat jelenleg két ASML Twinscan EXE:5000 eszközzel és legalább egy EXE:5200B szkennerrel rendelkezik – utóbbi jelentősen gyorsabb az elődjeinél.
Az Intel idén hitelesítette a High-NA EUV szkennerek alkalmazhatóságát a 18A gyártástechnológiájához, és ezek a berendezések jelenleg már a Panther Lake processzorok egy részének előállítását is végzik. Az egymilliós adat tehát nem csupán mennyiségi rekord: egyben a flotta érettségét és a gyártási folyamatok stabilizálódását is jelzi.
A „stitching” problémája: miért nehéz a nagy chipek gyártása?
A High-NA EUV szkennerek egyik sajátossága az ún. anamorf 4×/8× nagyítás, amely miatt a hagyományos 6×6 hüvelykes fotomaszkkal csupán körülbelül 26×16,5 mm-es mező exponálható a waferen egyetlen lépésben. Ez feleakkora, mint a hagyományos 0,33-NA EUV esetén megszokott 26×33 mm-es teljes mező. Azokat a chipeket, amelyek ennél nagyobb területet igényelnek – például nagy CPU-k vagy GPU-k –, ezért két félmezős expozícióval kell összeilleszteni; ezt a technikát nevezik stitchingnek.
A stitching működőképes megközelítés rövid távon, de komoly hátrányai vannak:
- Az EXE:5200B szkenner áteresztőképességét 175 waferről/óráról 125 wafer/órára csökkenti.
- A chipek tervezési szabadságát korlátozza, mivel az összeillesztési határt figyelembe kell venni az elrendezésnél.
- A két expozíciónak rendkívül precízen kell illeszkednie: még a legkisebb eltérés is megzavarhatja az összeköttetéseket, csökkentve a kihozatalt – különösen kritikus ez nagy, értékes chipek esetén.
A 6×12 hüvelykes fotomaszk: az Intel következő nagy fogadása
A stitching kiváltására az iparág – élén az Intellel – nagyobb, 6×12 hüvelykes fotomaszkokra kíván áttérni. Ezekkel egyetlen expozícióban lenne lefuttatható a teljes 26×33 mm-es mező, visszaállítva a hagyományos EUV teljesítményszintjét – stitching nélkül.
A váltás azonban korántsem egyszerű. A 6×6-ról 6×12 hüvelykes maszkokra való átállás az egész maszkgyártási ökoszisztémát érinti, beleértve a következőket:
- maszkalapos anyagok és rétegfelvitel
- maratás, ellenőrzés és méréstechnika
- tisztítási eljárások és pellicle-ek
- maszkírók és maszkezelő rendszerek
Emellett maguknak a High-NA EUV szkennereknek is módosításon kellene átesniük a nagyobb maszkok befogadásához – ez az egész félvezetőipari ellátási lánc számára óriási átszerelési feladatot jelent. Az ASML roadmapja szerint a 2033 előtt és után piacra kerülő összes jövőbeli High-NA EUV szkenner egyelőre 6×6 hüvelykes retikulákhoz van tervezve.
Sem az ASML, sem az Intel nem erősítette meg hivatalosan, hogy a meglévő vagy tervezett szkennereket át lehet-e alakítani a nagyobb maszkokhoz. Az Intel ugyanakkor egyértelműen az iparág fő szószólója a váltás mellett – egy olyan szabvány megváltoztatásáért kampányol, amely évtizedek óta meghatározza a projektív litográfiai infrastruktúrát. Ha ez az erőfeszítés eredményre vezet, az Intel komoly first-mover előnyre tehet szert, hiszen ő definiálhatja az elkövetkező évtizedek litográfiai standardját.
Gyakori kérdések
Mit jelent a High-NA EUV technológia az Intel gyártásában?
A High-NA EUV szkennerek magasabb numerikus apertúrájú (0,55 NA) extrém ultraibolya litográfiát alkalmaznak, ami finomabb chipstruktúrák kialakítását teszi lehetővé. Az Intel ezeket a berendezéseket a 18A gyártástechnológiájában és a Panther Lake processzorok előállításában is alkalmazza.
Miért fontos, hogy az Intel megelőzi az iparág többi szereplőjét összesítve?
Az ASML 2026 áprilisi adata szerint az általa addig szállított összes High-NA EUV szkenner összesen 500 000-nél valamivel több wafert dolgozott fel. Az Intel egymaga meghaladta ezt a számot, ami a flotta érettségét és az ipari élvonalban elfoglalt pozícióját egyaránt jelzi.
Mi a különbség a 6×6 és a 6×12 hüvelykes fotomaszkok között?
A jelenlegi 6×6 hüvelykes maszkok csak 26×16,5 mm-es félmezők exponálását teszik lehetővé High-NA EUV esetén, ezért a nagyobb chipleknél stitchinget kell alkalmazni. A tervezett 6×12 hüvelykes maszkokkal egyetlen lépésben lenne elvégezhető a teljes 26×33 mm-es mező exponálása, növelve az áteresztőképességet és csökkentve a tervezési korlátokat.
Mikor valósulhat meg az átállás a 6×12 hüvelykes maszkokra?
Konkrét dátumot sem az Intel, sem az ASML nem nevezett meg. Az ASML roadmapja szerint a 2033-ig és az azt követő időszakra tervezett High-NA EUV szkennerek jelenleg még a 6×6 hüvelykes retikulák körül épülnek fel, és a szükséges ökoszisztéma-változások kiterjedtsége miatt a váltás az egész iparágat érinti.
Forrás: Tom’s Hardware
