Az új FOWLP gyártási folyamatnak köszönhetően a GDDR6W dimenziói megegyezik a GDDR6X-ével, azonban 16 GB helyett 32 GB kapacitással érkeznek, továbbá az I/O pin szám is megduplázódott. A rendszerszintű sávszélesség elérheti az 1,4 TB/s-ot 512 I/O pinnel.
A Samsung kevesebb mint 2 hónappal a GDDR7 specifikációinak bemutatása után jelenti be a GDDR6W specifikációit. Úgy tűnik, hogy a GDDR7 VRAM chipeket integráló termékek piacra kerülése tovább tarthat, mivel a Samsung állítása szerint a GDDR6W VRAM termékek JEDEC szabványosítása már az idei év második negyedévében befejeződött és a gyártó azt tervezi, hogy a szabványt bevezesse a notebookok és a magas teljesítményű számítógépek piacára.
Amellett, hogy a 24 Gbps-os GDDR6X chipekhez képest nagyobb sávszélességet, valamint dupla kapacitást és I/O érintkezőket kínál, a GDDR6W szabványt a forradalmi FOWLP (fan-out wafer-level packaging) kialakítással fejlesztették ki, amely változatlan alapokat használ, így ugyanazzal a gáyrtási folyamattal előállítható, amivel a GDDR6X is – ezzel csökkentve a bevezetési időt és a költségeket.
Ugyanazon területen így 2x annyi teljesítmény fér meg. Mindent összevetve és lecsupaszítva ez azt jelenti, hogy a GDDR6W ~30%-kal gyorsabb a GDDR6X-nél.
techkalauz.hu – az online techmagazin
